QS8M31TR

Rohm Semiconductor

QS8M31TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8

Aktiv8-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerQS8M31
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V, 750pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta), 2A (Ta)
Power - Max1.1W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseTSMT8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)