QS8K13TCR

Rohm Semiconductor

QS8K13TCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

Aktiv8-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6A, 10V
Basis-TeilenummerQS8K13
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max550mW

Mechanisch

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseTSMT8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)