QS5K2TR

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5

AktivSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Basis-TeilenummerQS5K2
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Power - Max1.25W

Mechanisch

Package / CaseSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Hersteller-GehäuseTSMT5

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)