QH8MA3TCR

Rohm Semiconductor

QH8MA3TCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7A, 10V
Basis-TeilenummerQH8MA3
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A, 5.5A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseTSMT8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)