QH8KE5TCR

Rohm Semiconductor

QH8KE5TCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100V 2.0A, DUAL NCH+NCH, TSMT8

Aktiv8-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs202mOhm @ 2A, 10V
Konfiguration2 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90pF @ 50V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Power - Max1.5W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseTSMT8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)