QH8KC6TCR

Rohm Semiconductor

QH8KC6TCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.5A, 10V
Basis-TeilenummerQH8KC6
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460pF @ 30V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Power - Max1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseTSMT8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)