QH8KC5TCR

Rohm Semiconductor

QH8KC5TCR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 3A, 10V
Basis-TeilenummerQH8KC5
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds135pF @ 30V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Power - Max1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseTSMT8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)