QH8K51TR

Rohm Semiconductor

QH8K51TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8

Aktiv8-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs325mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerQH8K51
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 25V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Power - Max1.1W (Ta)

Mechanisch

Package / Case8-SMD, Flat Leads
Hersteller-GehäuseTSMT8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)