Allgemein
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | DRAM |
| Zugriffszeit | 30 ns |
| Basis-Teilenummer | MSM51 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 110ns |

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Speichertyp | Volatile |
|---|---|
| Technologie | DRAM |
| Zugriffszeit | 30 ns |
| Basis-Teilenummer | MSM51 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Obsolete |
| Schreibzykluszeit | 110ns |
| Speichergröße | 16Mbit |
|---|---|
| Speicherformat | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Versorgungsspannung | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 4M x 4 |
| Gehäuse | Tube |
|---|
| Betriebstemperatur | 0°C~70°C(TA) |
|---|