HS8MA2TCR1

Rohm Semiconductor

HS8MA2TCR1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Basis-TeilenummerHS8MA2
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 10V, 365pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 7A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäuseDFN3333-9DC

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)