EMG1T2R

Rohm Semiconductor

EMG1T2R

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Aktiv6-SMD (5 Leads), Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerEMG1T2
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)22kOhms
Transistor Type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 5mA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition250MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Hersteller-GehäuseEMT5