EMD59T2R

Rohm Semiconductor

EMD59T2R

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerEMD59
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Resistor - Base (R1)10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)47kOhms
Transistor Type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 5mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Power - Max150mW
Frequency - Transition250MHz

Mechanisch

Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseEMT6