EMD30T2R

Rohm Semiconductor

EMD30T2R

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

AbgekündigtSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerEMD30
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
Resistor - Base (R1)10kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10kOhms
Transistor Type1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V, 30V
Current - Collector (Ic) (Max)200mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Power - Max150mW
Frequency - Transition260MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseEMT6