EMB3T2R

Rohm Semiconductor

EMB3T2R

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerEMB3T2
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Resistor - Base (R1)4.7kOhms
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 5mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition250MHz

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseEMT6