EM6M1T2R

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

AbgekündigtSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
Basis-TeilenummerEM6M1
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13pF @ 5V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA, 200mA
Power - Max150mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseEMT6

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)