DTD113ECT116

Rohm Semiconductor

DTD113ECT116

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDTD113
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Resistor - Base (R1)1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)1 kOhms
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Power - Max200 mW
Frequency - Transition200 MHz

Mechanisch

Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSST3