BSM400C12P3G202

Rohm Semiconductor

BSM400C12P3G202

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SICFET N-CH 1200V 400A MODULE

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBSM400
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17000 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 106.8mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400A (Tc)
Max. Verlustleistung1570W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTray
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur175°C(TJ)