BSM300C12P3E201

Rohm Semiconductor

BSM300C12P3E201

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBSM300
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15000 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartChassis Mount
Product StatusActive
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 80mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
Max. Verlustleistung1360W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~150°C(TJ)