BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

BSM180D12P3C007

Analog & Leistungselektronik

SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE

AktivModuleAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBSM180
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 10V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieSilicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 50mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Power - Max880W

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseModule
Hersteller-GehäuseModule

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)