BS2103F-E2

Rohm Semiconductor

BS2103F-E2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP

Obsolet8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBS2103
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)200ns, 100ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)60mA, 130mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH1V, 2.6V
Versorgungsspannung10V ~ 18V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)