BR93G66FVT-3GE2

Rohm Semiconductor

BR93G66FVT-3GE2

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8TSSOPB

Aktiv8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR93G66
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße4Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceMicrowire
Taktfrequenz3 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 5.5V
Memory Organization256 x 16

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP-B

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)