BR25S128FVT-WE2

Rohm Semiconductor

BR25S128FVT-WE2

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 128KBIT SPI 8TSSOP

Aktiv8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25S128
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße128Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz20 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 5.5V
Memory Organization16K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP-B

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)