BR25H080F-2CE2

Rohm Semiconductor

BR25H080F-2CE2

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25H080
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100
Schreibzykluszeit4ms

Elektrisch

Speichergröße8Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz10 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TA)