BR25H010FVM-2CTR

Rohm Semiconductor

BR25H010FVM-2CTR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8MSOP

Aktiv8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25H010
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q100
Schreibzykluszeit4ms

Elektrisch

Speichergröße1Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz10 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 5.5V
Memory Organization128 x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-MSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TA)