BR25G512F-3GE2

Rohm Semiconductor

BR25G512F-3GE2

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 512KBIT SPI 10MHZ 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25G512
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße512Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz10 MHz
Versorgungsspannung1.8V ~ 5.5V
Memory Organization64K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)