BR25G128NUX-3TR

Rohm Semiconductor

BR25G128NUX-3TR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030

Aktiv8-UFDFN Exposed PadSpeicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25G128
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße128Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz20 MHz
Versorgungsspannung1.6V ~ 5.5V
Memory Organization16K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseVSON008X2030

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)