BR25G128FVM-3GTR

Rohm Semiconductor

BR25G128FVM-3GTR

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 128KBIT SPI 8MSOP

Aktiv8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25G128
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße128Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz20 MHz
Versorgungsspannung1.6V ~ 5.5V
Memory Organization16K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-MSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~85°C(TA)