BR25A512F-3MGE2

Rohm Semiconductor

BR25A512F-3MGE2

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 512KBIT SPI 10MHZ 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25A512
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße512Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz10 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 5.5V
Memory Organization64K x 8

Mechanisch

Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)