BR25A1MF-3MGE2

Rohm Semiconductor

BR25A1MF-3MGE2

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
Basis-TeilenummerBR25A1
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße1Mbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceSPI
Taktfrequenz10 MHz
Versorgungsspannung2.5V ~ 5.5V
Memory Organization128K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~105°C(TA)