BR24T512F-3AME2

Rohm Semiconductor

BR24T512F-3AME2

Datenblatt

Speicher & Storage

IC EEPROM 512KBIT I2C 1MHZ 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)Speicher & Storage

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

SpeichertypNon-Volatile
TechnologieEEPROM
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Schreibzykluszeit5ms

Elektrisch

Speichergröße512Kbit
SpeicherformatEEPROM
Memory InterfaceI2C
Taktfrequenz1 MHz
Versorgungsspannung1.7V ~ 5.5V
Memory Organization64K x 8

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
QualificationAEC-Q100