BM60212FV-CE2

Rohm Semiconductor

BM60212FV-CE2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP

Aktiv20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBM60212
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 50ns
SerieAutomotive, AEC-Q100

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)4.5A, 3.9A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)1200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2V
Versorgungsspannung10V ~ 24V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Hersteller-Gehäuse20-SSOP-BW

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TA)