BD2320EFJ-LAE2

Rohm Semiconductor

BD2320EFJ-LAE2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

100 V VB 3.5 A/4.5 A PEAK CURREN

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 6ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)3.5A, 4.5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.7V, 1.5V
Versorgungsspannung7.5V ~ 14.5V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-HTSOP-J

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C~125°C(TA)