BAS21VMTE-17

Rohm Semiconductor

BAS21VMTE-17

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 200MA UMD2

AktivSC-90, SOD-323FAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAS21
Capacitance @ Vr, F2.5pF @ 0V, 1MHz
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 200 mA
Current - Average Rectified (Io)200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr100 nA @ 200 V
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-90, SOD-323F
Hersteller-GehäuseUMD2

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)