BAS116HMFHT116

Rohm Semiconductor

BAS116HMFHT116

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 80V 215MA SSD3

AktivTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerBAS116
Capacitance @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io)215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr5 nA @ 75 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hersteller-GehäuseSSD3

Umwelt

GradeAutomotive
Operating Temperature - Junction150°C (Max)
QualificationAEC-Q101