2SK3065T100

Rohm Semiconductor

2SK3065T100

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

AbgekündigtTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 1A, 4V
Basis-Teilenummer2SK3065
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseMPT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)