2SK3018T106

Rohm Semiconductor

2SK3018T106

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3

AbgekündigtSC-70, SOT-323Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
Basis-Teilenummer2SK3018
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds13 pF @ 5 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100mA (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Hersteller-GehäuseUMT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)