2SK2103T100

Rohm Semiconductor

2SK2103T100

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 2A MPT3

AbgekündigtTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 1A, 10V
Basis-Teilenummer2SK2103
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Max. Verlustleistung500mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseMPT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)