2SK2095N

Rohm Semiconductor

2SK2095N

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 10A TO220FN

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 5A, 10V
Basis-Teilenummer2SK2095
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 10 V
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartThrough Hole
VerpackungBulk
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Max. Verlustleistung30W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FN

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)