2SD2212T100

Rohm Semiconductor

2SD2212T100

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRANS NPN DARL 60V 2A MPT3

AbgekündigtTO-243AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer2SD2212
HerstellerRohm Semiconductor
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusNot For New Designs
Transistor TypeNPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 1mA, 1A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Current - Collector (Ic) (Max)2 A
Current - Collector Cutoff (Max)1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 1A, 2V
Power - Max2 W
Frequency - Transition80MHz

Mechanisch

Package / CaseTO-243AA
Hersteller-GehäuseMPT3

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)