Allgemein
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
|---|---|
| Montageart | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 80mA, 800mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 5V |
| Power - Max | 1 W |
| Frequency - Transition | 220MHz |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 3-UDFN Exposed Pad |
| Hersteller-Gehäuse | HUML2020L3 |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|