Allgemein
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
|---|---|
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.2mA, 600mA |
Technische Spezifikationen
Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
Elektrisch
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 500mA, 2V |
| Power - Max | 1 W |
Mechanisch
| Gehäuse | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | 3-SIP |
| Hersteller-Gehäuse | ATV |
Umwelt
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
|---|