UPA1902TE-T1-AT

Renesas

UPA1902TE-T1-AT

Analog & Leistungselektronik

UPA1902TE-T1-AT - N-CHANNEL MOS

ObsoletSC-95Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds780 pF @ 10 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSC-95
Hersteller-GehäuseSC-95

Umwelt

Betriebstemperatur150°C