RQA0002DNSTB-E

Renesas

RQA0002DNSTB-E

Analog & Leistungselektronik

RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET

Obsolet3-DFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds102 pF @ 0 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id750mV @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung16 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Ta)
Max. Verlustleistung15W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case3-DFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse2-HWSON (5x4)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C