RJK5030DPD-03#J2

Renesas

RJK5030DPD-03#J2

Analog & Leistungselektronik

RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 25 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta)
Max. Verlustleistung41.7W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseMP-3A

Umwelt

Betriebstemperatur150°C