RJK5013DPP-E0#T2

Renesas

RJK5013DPP-E0#T2

Analog & Leistungselektronik

RJK5013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs465mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 25 V
HerstellerRenesas
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta)
Max. Verlustleistung30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FP

Umwelt

Betriebstemperatur150°C