NP88N075EUE-E2-AY

Renesas

NP88N075EUE-E2-AY

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

NP88N075EUE - POWER MOSFETS FOR

ObsoletTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 44A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12300 pF @ 25 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C88A (Tc)
Max. Verlustleistung1.8W (Ta), 288W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263-3

Umwelt

Betriebstemperatur175°C