NP82N10PUF-E1-AY

Renesas

NP82N10PUF-E1-AY

Analog & Leistungselektronik

NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF

ObsoletAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 41A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4350 pF @ 25 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C82A (Tc)
Max. Verlustleistung1.8W (Ta), 150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Hersteller-GehäuseTO-263-3

Umwelt

Betriebstemperatur175°C