HAT2205C-EL-E

Renesas

HAT2205C-EL-E

Analog & Leistungselektronik

HAT2205C - N-CHANNEL POWER MOSFE

Obsolet6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 10 V
HerstellerRenesas
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse6-CMFPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C