UPA622TT-E1-A

Renesas Electronics Corporation

UPA622TT-E1-A

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 3A 6WSOF

Obsolet6-SMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs82mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds155 pF @ 10 V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Max. Verlustleistung200mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-SMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse6-WSOF

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)