UPA2810T1L-E1-AY

Renesas Electronics Corporation

UPA2810T1L-E1-AY

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN

Obsolet8-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 13A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1860 pF @ 10 V
HerstellerRenesas Electronics Corporation
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse8-DFN3333 (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)